N-Kanal-Transistor IRF1010N, TO-220, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220AB, 55V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 85A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.11 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. Aufladung: 80nC. C(in): 3210pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 55V. Funktion: N-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2V. Gehäuse thermischer Widerstand: 1.2K/W. IDss (min): 25uA. Id(imp): 290A. Kanaltyp: N. Konditionierung: tubus. Kosten): 690pF. Leistung: 130W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 72A. Td(off): 39 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 69 ns. Verwendet für: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 4 v. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00