N-Kanal-Transistor IRF1324, TO-220, 249A, 353A, 250uA, 1.2m Ohms, TO-220AB, 24V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 249A. ID (T=25°C): 353A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2m Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 24V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 160nC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 5790pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 24V. Funktion: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 500mK/W. IDss (min): 20uA. Id(imp): 1412A. Kanaltyp: N. Konditionierung: tubus. Kosten): 3440pF. Leistung: 300W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 353A. Td(off): 83 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 46 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00