N-Kanal-Transistor IRF1407, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V

N-Kanal-Transistor IRF1407, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V

Menge
Stückpreis
1-4
2.32€
5-24
2.04€
25-49
1.83€
50-99
1.67€
100+
1.47€
Menge auf Lager: 69

N-Kanal-Transistor IRF1407, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0078 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 75V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 5600pF. Diodenschwellenspannung: 1.3V. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 520A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 890pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Td(off): 150 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00

Technische Dokumentation (PDF)
IRF1407
33 Parameter
ID (T=100°C)
92A
ID (T=25°C)
130A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.0078 Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
75V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
5600pF
Diodenschwellenspannung
1.3V
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
AUTOMOTIVE MOSFET
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
20uA
Id(imp)
520A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
890pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
330W
RoHS
ja
Td(off)
150 ns
Td(on)
11 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
110 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier