N-Kanal-Transistor IRF2804, 43A, 75A, 250uA, 1.8M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

N-Kanal-Transistor IRF2804, 43A, 75A, 250uA, 1.8M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

Menge
Stückpreis
1-4
3.88€
5-24
3.58€
25-49
3.33€
50-99
3.11€
100+
2.70€
Menge auf Lager: 65

N-Kanal-Transistor IRF2804, 43A, 75A, 250uA, 1.8M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.8M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 40V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 6450pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Schnelles Schalten, Automobilanwendungen. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 1080A. Kanaltyp: N. Kosten): 1690pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Td(off): 130 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 56 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:00

Technische Dokumentation (PDF)
IRF2804
30 Parameter
ID (T=100°C)
43A
ID (T=25°C)
75A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.8M Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
40V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
6450pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Schnelles Schalten, Automobilanwendungen
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
20uA
Id(imp)
1080A
Kanaltyp
N
Kosten)
1690pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
330W
RoHS
ja
Td(off)
130 ns
Td(on)
13 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
56 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier