N-Kanal-Transistor IRF3205PBF, TO220AB, 55V, 55V. Gehäuse: TO220AB. Vdss (Drain-Source-Spannung): 55V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Antriebsspannung: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 97.3nC. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 3247pF. Drain-Source-Spannung: 55V. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 98A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Eigenschaften: -. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 1K/W. Herstellerkennzeichnung: IRF3205PBF. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 110A. Information: -. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 150W. MSL: -. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 150W. Montage/Installation: THT. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Serie: HEXFET. Strömung abfließen: 110A. Technologie: HEXFET®. Transistortyp: N-MOSFET, HEXFET. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:06