N-Kanal-Transistor IRF3205ZPBF, TO-220AB, 55V, 0.0049 Ohm
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Stückpreis
1-4
2.74€
5-9
1.71€
10-19
1.56€
20-49
1.47€
50+
1.39€
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N-Kanal-Transistor IRF3205ZPBF, TO-220AB, 55V, 0.0049 Ohm. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 55V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0049 Ohm. : erweitert. Aufladung: 110nC. Drain-Source-Spannung: 55V. Gate-Source-Spannung: ±20V. Kanaltyp: N. Leistung: 170W. Maximaler Drainstrom: 75A. Montage/Installation: THT. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 75A. Technologie: HEXFET®. Transistortyp: N-MOSFET. Verpackung: tubus. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:15
IRF3205ZPBF
18 Parameter
Gehäuse
TO-220AB
Drain-Source-Spannung (Vds)
55V
Einschaltwiderstand Rds On
0.0049 Ohm
erweitert
Aufladung
110nC
Drain-Source-Spannung
55V
Gate-Source-Spannung
±20V
Kanaltyp
N
Leistung
170W
Maximaler Drainstrom
75A
Montage/Installation
THT
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
75A
Technologie
HEXFET®
Transistortyp
N-MOSFET
Verpackung
tubus
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier