N-Kanal-Transistor IRF3415PBF, 150V, 0.042 Ohms
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N-Kanal-Transistor IRF3415PBF, 150V, 0.042 Ohms. Drain-Source-Spannung (Vds): 150V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.042 Ohms. : erweitert. Aufladung: 133.3nC. Drain-Source-Spannung: 150V. Gate-Source-Spannung: ±20V. Kanaltyp: N. Leistung: 200W. Maximaler Drainstrom: 43A. Montage/Installation: THT. Polarität: unipolar. Strömung abfließen: 43A. Technologie: HEXFET®. Transistortyp: N-MOSFET. Verpackung: tubus. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 06:37
IRF3415PBF
16 Parameter
Drain-Source-Spannung (Vds)
150V
Einschaltwiderstand Rds On
0.042 Ohms
erweitert
Aufladung
133.3nC
Drain-Source-Spannung
150V
Gate-Source-Spannung
±20V
Kanaltyp
N
Leistung
200W
Maximaler Drainstrom
43A
Montage/Installation
THT
Polarität
unipolar
Strömung abfließen
43A
Technologie
HEXFET®
Transistortyp
N-MOSFET
Verpackung
tubus
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon Technologies