N-Kanal-Transistor IRF510PBF, TO220AB, 100V, 100V, 0.54 Ohms, 100V. Gehäuse: TO220AB. Vdss (Drain-Source-Spannung): 100V. Drain-Source-Spannung (Vds): 100V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Antriebsspannung: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 180pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 5.6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 3.4A. Eigenschaften: -. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Herstellerkennzeichnung: IRF510PBF. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 5.6A. Information: -. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 43W. MSL: -. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 43W. Maximaler Drainstrom: 5.6A. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 43W. Polarität: MOSFET N. RoHS: ja. Serie: IRF. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (ir). Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:22