N-Kanal-Transistor IRF530PBF, 100V, 100V, 0.16 Ohms, TO220AB
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N-Kanal-Transistor IRF530PBF, 100V, 100V, 0.16 Ohms, TO220AB. Vdss (Drain-Source-Spannung): 100V. Drain-Source-Spannung (Vds): 100V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.16 Ohms. Gehäuse: TO220AB. Antriebsspannung: 10V. Eigenschaften: -. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 14A. Information: -. Kanaltyp: N. Leistung: 75W. MSL: -. Maximaler Drainstrom: 14A. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 79W. Polarität: MOSFET N. Serie: -. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: VISHAY IR. Mindestmenge: 5. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:35
IRF530PBF
16 Parameter
Vdss (Drain-Source-Spannung)
100V
Drain-Source-Spannung (Vds)
100V
Einschaltwiderstand Rds On
0.16 Ohms
Gehäuse
TO220AB
Antriebsspannung
10V
Gate/Source-Spannung Vgs max
-20V
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
14A
Kanaltyp
N
Leistung
75W
Maximaler Drainstrom
14A
Montageart
THT
Pd (Verlustleistung, max)
79W
Polarität
MOSFET N
Transistortyp
MOSFET-Leistungstransistor
Originalprodukt vom Hersteller
VISHAY IR
Mindestmenge
5