N-Kanal-Transistor IRF540N, TO-220, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.044 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 47.3nC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1960pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 100V. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 1.1K/W. IDss (min): 25uA. Id(imp): 110A. Kanaltyp: N. Konditionierung: tubus. Kosten): 250pF. Leistung: 140W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 33A. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 115 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:08