N-Kanal-Transistor IRF620PBF, TO-220AB, 200V. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 260pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 5.2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 3.1A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7.2 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: IRF620PBF. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (ir). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:45