N-Kanal-Transistor IRF640N, TO-220, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220AB, 200V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 44.7nC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1160pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 200V. Funktion: -. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 1K/W. Herstellerkennzeichnung: IRF640NPBF. IDss (min): 25uA. Id(imp): 72A. Kanaltyp: N. Konditionierung: tubus. Kosten): 185pF. Leistung: 150W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 18A. Td(off): 23 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 167 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:08