N-Kanal-Transistor IRF640PBF, 200V, 200V, 0.18 Ohms, TO220
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N-Kanal-Transistor IRF640PBF, 200V, 200V, 0.18 Ohms, TO220. Vdss (Drain-Source-Spannung): 200V. Drain-Source-Spannung (Vds): 200V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Gehäuse: TO220. Antriebsspannung: 10V. Eigenschaften: -. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 18A. Information: -. Kanaltyp: N. Leistung: 125W. MSL: -. Maximaler Drainstrom: 18A. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Polarität: MOSFET N. Serie: -. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: VISHAY IR. Mindestmenge: 3. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:35
IRF640PBF
16 Parameter
Vdss (Drain-Source-Spannung)
200V
Drain-Source-Spannung (Vds)
200V
Einschaltwiderstand Rds On
0.18 Ohms
Gehäuse
TO220
Antriebsspannung
10V
Gate/Source-Spannung Vgs max
-20V
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
18A
Kanaltyp
N
Leistung
125W
Maximaler Drainstrom
18A
Montageart
THT
Pd (Verlustleistung, max)
40W
Polarität
MOSFET N
Transistortyp
MOSFET-Leistungstransistor
Originalprodukt vom Hersteller
VISHAY IR
Mindestmenge
3