N-Kanal-Transistor IRF7103TRPBF, SO8
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N-Kanal-Transistor IRF7103TRPBF, SO8. Gehäuse: SO8. Aufladung: 12nC. Drain-Source-Spannung: 50V. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Leistung: 2W. Montage/Installation: SMD. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 3A. Technologie: HEXFET®. Thermischer Widerstand: 62.5K/W. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon (irf). Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 22:22
IRF7103TRPBF
12 Parameter
Gehäuse
SO8
Aufladung
12nC
Drain-Source-Spannung
50V
Gate-Source-Spannung
20V, ±20V
Leistung
2W
Montage/Installation
SMD
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Strömung abfließen
3A
Technologie
HEXFET®
Thermischer Widerstand
62.5K/W
Originalprodukt vom Hersteller
Infineon (irf)