N-Kanal-Transistor IRF730, TO-220, 400V, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220AB, 400V. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 400V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 38nC. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 15 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 700pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 530pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Drain-Source-Spannung: 400V. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 5.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 5.5A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Herstellerkennzeichnung: IRF730. IDss (min): 25uA. Id(imp): 22A. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konditionierung: tubus. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 170pF. Leistung: 74W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 74W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 3.5A, 5.5A. Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 270 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Widerstand auf den Staat: 1 Ohm. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 23:08