N-Kanal-Transistor IRF7313, SO, SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Anzahl der Terminals: 8:1. Aufladung: 22nC. Drain-Source-Spannung: 30V. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Leistung: 2W. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 6.5A. Technologie: HEXFET®. Thermischer Widerstand: 62.5K/W. Äquivalente: IRF7313PBF. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27