N-Kanal-Transistor IRF740, TO-220, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220AB, 400V

N-Kanal-Transistor IRF740, TO-220, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220AB, 400V

Menge
Stückpreis
1-4
1.57€
5-24
1.34€
25-49
1.20€
50-99
1.11€
100+
0.99€
Menge auf Lager: 339

N-Kanal-Transistor IRF740, TO-220, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220AB, 400V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 400V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 36nC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1400pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 400V. Funktion: Schnell schaltender Leistungs-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±30V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Herstellerkennzeichnung: IRF740PBF. IDss (min): 25uA. Id(imp): 40A. Kanaltyp: N. Konditionierung: tubus. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 330pF. Leistung: 125W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Strömung abfließen: 10A, 6.3A. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: V-MOS. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 370 ns. Widerstand auf den Staat: 0.55 Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43

Technische Dokumentation (PDF)
IRF740
41 Parameter
Gehäuse
TO-220
ID (T=100°C)
6.3A
ID (T=25°C)
10A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.55 Ohms
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
400V
Anzahl der Terminals
3
Aufladung
36nC
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1400pF
Drain-Source-Schutz
ja
Drain-Source-Spannung
400V
Funktion
Schnell schaltender Leistungs-MOSFET-Transistor
G-S-Schutz
nein
Gate-Source-Spannung
±30V
Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.
2V
Gate/Source-Spannung (aus) max.
4 v
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Herstellerkennzeichnung
IRF740PBF
IDss (min)
25uA
Id(imp)
40A
Kanaltyp
N
Konditionierung
tubus
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
330pF
Leistung
125W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
125W
Polarität
unipolar
RoHS
ja
Spec info
Dynamic dv/dt Rating
Strömung abfließen
10A, 6.3A
Td(off)
50 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
V-MOS
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
370 ns
Widerstand auf den Staat
0.55 Ohms
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay