N-Kanal-Transistor IRF7413, 9.2A, 13A, 25uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 25uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1600pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 12uA. Id(imp): 58A. Kanaltyp: N. Kosten): 680pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Td(off): 52 ns. Td(on): 8.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 74 ns. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Chipcad. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 10:00