N-Kanal-Transistor IRF7413Z, SO, 9.2A, 13A, 150uA, 0.008 Ohms, SO-8, 30 v. Gehäuse: SO. ID (T=100°C): 9.2A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Aufladung: 9.5nC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1210pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Drain-Source-Spannung: 30V. Funktion: Extrem niedrige Gate-Impedanz. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: 20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 100A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 95. Kosten): 270pF. Leistung: 2.5W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 13A. Td(off): 11 ns. Td(on): 8.7 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Thermischer Widerstand: 50K/W. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 24 ns. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Widerstand auf den Staat: 10M Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43