N-Kanal-Transistor IRF7455, 12A, 15A, 100uA, 0.006 Ohms, SO, SO-8, 30 v

N-Kanal-Transistor IRF7455, 12A, 15A, 100uA, 0.006 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
1.22€
5-24
1.01€
25-49
0.91€
50-99
0.82€
100+
0.78€
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N-Kanal-Transistor IRF7455, 12A, 15A, 100uA, 0.006 Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.006 Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -50...+150°C. C(in): 3480pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: SMPS MOSFET, High Frequency DC-DC Converters. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 60.4k Ohms. Kanaltyp: N. Kosten): 870pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Td(off): 51 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: V-MOS. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 64 ns. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.6V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43

Technische Dokumentation (PDF)
IRF7455
30 Parameter
ID (T=100°C)
12A
ID (T=25°C)
15A
IDSS (max)
100uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.006 Ohms
Gehäuse
SO
Gehäuse (laut Datenblatt)
SO-8
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-50...+150°C
C(in)
3480pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
SMPS MOSFET, High Frequency DC-DC Converters
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
12V
IDss (min)
20uA
Id(imp)
60.4k Ohms
Kanaltyp
N
Kosten)
870pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
2.5W
RoHS
ja
Td(off)
51 ns
Td(on)
17 ns
Technologie
V-MOS
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
64 ns
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
0.6V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier