N-Kanal-Transistor IRF830PBF, TO220AB, 500V, 500V, 1.5 Ohms, 500V. Gehäuse: TO220AB. Vdss (Drain-Source-Spannung): 500V. Drain-Source-Spannung (Vds): 500V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Antriebsspannung: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 42 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 610pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 4.5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 2.7A. Eigenschaften: -. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.2 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Herstellerkennzeichnung: IRF830PBF. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 4.5A. Information: -. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 74W. MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Maximaler Drainstrom: 4.5A. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Polarität: MOSFET N. RoHS: ja. Serie: -. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (siliconix). Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:22