N-Kanal-Transistor IRF840, TO-220, 4.8A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220AB, 500V. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 4.8A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 63nC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1300pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 500V. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 32A. Kanaltyp: N. Konditionierung: tubus. Kosten): 310pF. Leistung: 125W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 8A, 5.1A. Td(off): 49 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Widerstand auf den Staat: 0.85 Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43