N-Kanal-Transistor IRF840AS, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 500V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263AB. Spannung Vds(max): 500V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1018pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 32A. Kanaltyp: N. Kosten): 155pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 422 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43