N-Kanal-Transistor IRFB4019, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

N-Kanal-Transistor IRFB4019, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Menge
Stückpreis
1-4
2.15€
5-24
1.87€
25-49
1.64€
50-99
1.49€
100+
1.27€
Menge auf Lager: 122

N-Kanal-Transistor IRFB4019, 12A, 17A, 250uA, 80m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 80m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 150V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. C(in): 800pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Wichtige Parameter optimiert für Class-D-Audio. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 51A. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 74pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Td(off): 12 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Digitaler Audio-MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 64 ns. Vgs(th) max.: 4.9V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43

Technische Dokumentation (PDF)
IRFB4019
32 Parameter
ID (T=100°C)
12A
ID (T=25°C)
17A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
80m Ohms
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
150V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-40...+175°C
C(in)
800pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Wichtige Parameter optimiert für Class-D-Audio
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
20uA
Id(imp)
51A
Kanaltyp
N
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
74pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
80W
RoHS
ja
Td(off)
12 ns
Td(on)
7 ns
Technologie
Digitaler Audio-MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
64 ns
Vgs(th) max.
4.9V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier