N-Kanal-Transistor IRFB4110PBF, 100V, 100V, 3.7m Ohms, TO-220, 130A, 60.4k Ohms, 250uA, TO-220AB, 100V. Vdss (Drain-Source-Spannung): 100V. Drain-Source-Spannung (Vds): 100V. Einschaltwiderstand Rds On: 3.7m Ohms. Gehäuse: TO-220. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. IDSS (max): 250uA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Antriebsspannung: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 9620pF. Drain-Source-Schutz: ja. Eigenschaften: -. Funktion: PDP-Switch. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gewicht: 1.99g. IDss (min): 20uA. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 180A. Id(imp): 670A. Information: -. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 670pF. Leistung: 370W. MSL: -. Maximaler Drainstrom: 120A. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 370W. Polarität: MOSFET N. Rds on (max) @ id, vgs: 4.5m Ohms / 75A / 10V. RoHS: ja. Serie: HEXFET. Td(off): 25 ns. Td(on): 78 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43