N-Kanal-Transistor IRFB4229, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. IDSS (max): 1mA. Einschaltwiderstand Rds On: 38m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 250V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. C(in): 4560pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Klasse-D-Audioverstärker 300 W–500 W (Halbbrücke). G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 20uA. Id(imp): 180A. Kanaltyp: N. Kosten): 390pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Td(off): 30 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43