N-Kanal-Transistor IRFB42N20DPBF, 69A, 97A, 250uA, 0.072 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 69A. ID (T=25°C): 97A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.072 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 4820pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 390A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFB4410ZPBF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 340pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Td(off): 43 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 220 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43