N-Kanal-Transistor IRFB5615PBF, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.032 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 150V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1750pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: für Klasse-D-Audioverstärkeranwendungen. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 140A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRFB5615PbF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 155pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 144W. RoHS: ja. Td(off): 17.2ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: Digitaler Audio-MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43