N-Kanal-Transistor IRFB9N65A, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 8.5A. IDSS (max): 8.5A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.93 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 650V. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 167W. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43