N-Kanal-Transistor IRFBG30PBF, TO-220AB, 1 kV. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 1 kV. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 80nC. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 89 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 980pF. Drain-Source-Spannung: 1kV. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 3.1A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 1.9A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Gate-Source-Spannung: ±20V. Herstellerkennzeichnung: IRFBG30PBF. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 125W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Montage/Installation: THT. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 2A. Transistortyp: N-MOSFET. Widerstand auf den Staat: 5 Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (ir). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:45