N-Kanal-Transistor IRFD110, DIP, 0.71A, 1A, 250uA, 0.54 Ohms, DH-1 house, DIP-4, 100V. Gehäuse: DIP. ID (T=100°C): 0.71A. ID (T=25°C): 1A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): DH-1 house, DIP-4. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 4. Aufladung: 8.3nC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 180pF. Drain-Source-Schutz: ja. Drain-Source-Spannung: 100V. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Herstellerkennzeichnung: IRFD110PBF. IDss (min): 25uA. Id(imp): 8A. Kanaltyp: N. Kosten): 81pF. Leistung: 1.3W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1.3W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 700mA, 0.71A. Td(off): 15 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Widerstand auf den Staat: 0.54 Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43