N-Kanal-Transistor IRFI740GPBF, 400V, 0.55 Ohms 40W, 400V

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N-Kanal-Transistor IRFI740GPBF, 400V, 0.55 Ohms 40W, 400V. Drain-Source-Spannung (Vds): 400V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms 40W. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 54 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1370pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 5.4A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 3.2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: IRFI740G. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Maximaler Drainstrom: 5.4A. RoHS: ja. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (ir). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:06

Technische Dokumentation (PDF)
IRFI740GPBF
20 Parameter
Drain-Source-Spannung (Vds)
400V
Einschaltwiderstand Rds On
0.55 Ohms 40W
Drain-Source-Spannung Uds [V]
400V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
54 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
1370pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
5.4A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.55 Ohms @ 3.2A
Einschaltzeit ton [nsec.]
14 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
4 v
Herstellerkennzeichnung
IRFI740G
Kanaltyp
N
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
40W
Maximaler Drainstrom
5.4A
RoHS
ja
Transistortyp
MOSFET-Leistungstransistor
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay (ir)