N-Kanal-Transistor IRFP044N, TO-247, 55V, 37A, 53A, 25uA, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247AC, 55V. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 53A. IDSS: 25uA. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.02 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 43 ns. C(in): 1500pF. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1500pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 53A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Funktion: PowerMOSFET. G-S-Schutz: nein. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: IRFP044N. Id(imp): 180A. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 450pF. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 120W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 120W. RoHS: ja. Td(off): 43 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 72 ns. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:51