N-Kanal-Transistor IRFP048, 52A, 70A, 250uA, 0.018 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V

N-Kanal-Transistor IRFP048, 52A, 70A, 250uA, 0.018 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V

Menge
Stückpreis
1-4
4.92€
5-24
4.36€
25-49
4.03€
50+
3.75€
Gleichwertigkeit vorhanden
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N-Kanal-Transistor IRFP048, 52A, 70A, 250uA, 0.018 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. ID (T=100°C): 52A. ID (T=25°C): 70A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.018 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 2400pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: PowerMOSFET. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 290A. Kanaltyp: N. Kosten): 1300pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Td(off): 210 ns. Td(on): 8.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 120ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:51

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP048
30 Parameter
ID (T=100°C)
52A
ID (T=25°C)
70A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.018 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
2400pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
PowerMOSFET
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
290A
Kanaltyp
N
Kosten)
1300pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
190W
RoHS
ja
Td(off)
210 ns
Td(on)
8.1 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
120ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier

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