N-Kanal-Transistor IRFP054N, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V

N-Kanal-Transistor IRFP054N, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V

Menge
Stückpreis
1-4
3.13€
5-24
2.73€
25-49
2.41€
50-99
2.14€
100+
1.78€
Gleichwertigkeit vorhanden
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N-Kanal-Transistor IRFP054N, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 81A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.012 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 55V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 2900pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 290A. Kanaltyp: N. Kosten): 880pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 170W. RoHS: ja. Td(off): 40 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 81 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:51

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP054N
29 Parameter
ID (T=100°C)
57A
ID (T=25°C)
81A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.012 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
55V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
2900pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
290A
Kanaltyp
N
Kosten)
880pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
170W
RoHS
ja
Td(off)
40 ns
Td(on)
11 ns
Technologie
HEXFET® Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
81 ns
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier

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