N-Kanal-Transistor IRFP064NPBF, TO247AC, 55V, 55V, 0.008 Ohms, 55V

N-Kanal-Transistor IRFP064NPBF, TO247AC, 55V, 55V, 0.008 Ohms, 55V

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N-Kanal-Transistor IRFP064NPBF, TO247AC, 55V, 55V, 0.008 Ohms, 55V. Gehäuse: TO247AC. Vdss (Drain-Source-Spannung): 55V. Drain-Source-Spannung (Vds): 55V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Antriebsspannung: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4000pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 110A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Eigenschaften: -. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Herstellerkennzeichnung: IRFP064NPBF. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 110A. Information: -. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 150W. MSL: -. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Maximaler Drainstrom: 98A. Montageart: THT. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Polarität: MOSFET N. RoHS: ja. Serie: -. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:22

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP064NPBF
29 Parameter
Gehäuse
TO247AC
Vdss (Drain-Source-Spannung)
55V
Drain-Source-Spannung (Vds)
55V
Einschaltwiderstand Rds On
0.008 Ohms
Drain-Source-Spannung Uds [V]
55V
Antriebsspannung
10V
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
43 ns
Ciss-Gate-Kapazität [pF]
4000pF
Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen
110A
Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.008 Ohms @ 59A
Einschaltzeit ton [nsec.]
14 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
4 v
Gate/Source-Spannung Vgs max
-20V
Herstellerkennzeichnung
IRFP064NPBF
Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom)
110A
Kanaltyp
N
Komponentenfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
150W
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
200W
Maximaler Drainstrom
98A
Montageart
THT
Pd (Verlustleistung, max)
200W
Polarität
MOSFET N
RoHS
ja
Transistortyp
MOSFET-Leistungstransistor
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier