N-Kanal-Transistor IRFP150N, TO-247, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247AC, 100V. Gehäuse: TO-247. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.36 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. Anzahl der Terminals: 3. Aufladung: 73.3nC, 110nC. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1900pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Drain-Source-Spannung: 100V. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Gehäuse thermischer Widerstand: 1.1K/W. IDss (min): 25uA. Id(imp): 140A. Kanaltyp: N. Konditionierung: tubus. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 450pF. Leistung: 160W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 160W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Strömung abfließen: 30A, 39A. Td(off): 45 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 180 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:51