N-Kanal-Transistor IRFP2907, 148A, 209A, 250uA, 3.6m Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V

N-Kanal-Transistor IRFP2907, 148A, 209A, 250uA, 3.6m Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V

Menge
Stückpreis
1-4
7.09€
5-9
6.46€
10-24
6.02€
25-49
5.61€
50+
5.01€
Menge auf Lager: 63

N-Kanal-Transistor IRFP2907, 148A, 209A, 250uA, 3.6m Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V. ID (T=100°C): 148A. ID (T=25°C): 209A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.6m Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 75V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 13000pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 870A. Kanaltyp: N. Kosten): 2100pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 470W. RoHS: ja. Td(off): 130 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 140 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:51

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP2907
30 Parameter
ID (T=100°C)
148A
ID (T=25°C)
209A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
3.6m Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
75V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
13000pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
AUTOMOTIVE MOSFET
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
20uA
Id(imp)
870A
Kanaltyp
N
Kosten)
2100pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
470W
RoHS
ja
Td(off)
130 ns
Td(on)
23 ns
Technologie
HEXFET ® Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
140 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier