N-Kanal-Transistor IRFP3206, 140A, 200A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V

N-Kanal-Transistor IRFP3206, 140A, 200A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V

Menge
Stückpreis
1-4
3.97€
5-24
3.51€
25-49
3.17€
50+
2.87€
Menge auf Lager: 61

N-Kanal-Transistor IRFP3206, 140A, 200A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.4M Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 6540pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 20uA. Id(imp): 840A. Kanaltyp: N. Kosten): 720pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 280W. RoHS: ja. Td(off): 55 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:51

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP3206
29 Parameter
ID (T=100°C)
140A
ID (T=25°C)
200A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
2.4M Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
6540pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
20uA
Id(imp)
840A
Kanaltyp
N
Kosten)
720pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
280W
RoHS
ja
Td(off)
55 ns
Td(on)
19 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
33 ns
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier