N-Kanal-Transistor IRFP350, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V

N-Kanal-Transistor IRFP350, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V

Menge
Stückpreis
1-4
4.37€
5-9
3.83€
10-24
3.48€
25-49
3.22€
50+
2.87€
Menge auf Lager: 19

N-Kanal-Transistor IRFP350, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 400V. Betriebstemperatur: -50...+150°C. C(in): 2600pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: N-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Kanaltyp: N. Kosten): 660pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Td(off): 87 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET-Leistungs-MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:51

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP350
26 Parameter
ID (T=100°C)
9.6A
ID (T=25°C)
16A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.3 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
400V
Betriebstemperatur
-50...+150°C
C(in)
2600pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
N-MOSFET-Transistor
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Kanaltyp
N
Kosten)
660pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
190W
Td(off)
87 ns
Td(on)
16 ns
Technologie
HEXFET-Leistungs-MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier