N-Kanal-Transistor IRFP360PBF, 400V, 0.20 Ohms, 400V. Drain-Source-Spannung (Vds): 400V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Einschaltwiderstand Rds On: 0.20 Ohms. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4500pF. Drainstrom -ID (a) @ 25 ° C abfließen: 23A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 14A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 18 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Herstellerkennzeichnung: IRFP360PBF. Kanaltyp: N. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 280W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 280W. Maximaler Drainstrom: 23A. RoHS: ja. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay (siliconix). Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:38