N-Kanal-Transistor IRFP4242, 33A, 46A, 150uA, 0.049 Ohms, TO-247, TO-247AC, 300V

N-Kanal-Transistor IRFP4242, 33A, 46A, 150uA, 0.049 Ohms, TO-247, TO-247AC, 300V

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N-Kanal-Transistor IRFP4242, 33A, 46A, 150uA, 0.049 Ohms, TO-247, TO-247AC, 300V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.049 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 300V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -40...+175°C. C(in): 7370pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): 5uA. Id(imp): 190A. Kanaltyp: N. Kosten): 520pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 430W. RoHS: ja. Spec info: Idm--190Ap.. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Temperatur: +175°C. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP4242
29 Parameter
ID (T=100°C)
33A
ID (T=25°C)
46A
IDSS (max)
150uA
Einschaltwiderstand Rds On
0.049 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
300V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-40...+175°C
C(in)
7370pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
5uA
Id(imp)
190A
Kanaltyp
N
Kosten)
520pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
430W
RoHS
ja
Spec info
Idm--190Ap.
Technologie
HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH
Temperatur
+175°C
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
300 ns
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier