N-Kanal-Transistor IRFP4710, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

N-Kanal-Transistor IRFP4710, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
4.72€
5-24
4.29€
25-49
3.96€
50-99
3.67€
100+
3.28€
Menge auf Lager: 19

N-Kanal-Transistor IRFP4710, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 72A. IDSS: 250uA. IDSS (max): 72A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 6160pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Power-MOSFET. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3.5V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Hinweis: Hochfrequenz. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 300A. Kanaltyp: N. Kosten): 440pF. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Td(off): 41 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 5.5V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFP4710
27 Parameter
ID (T=100°C)
51A
ID (T=25°C)
72A
IDSS
250uA
IDSS (max)
72A
Einschaltwiderstand Rds On
0.011 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
100V
C(in)
6160pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Power-MOSFET
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung (aus) min.
3.5V
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
Hinweis
Hochfrequenz
IDss (min)
0.1uA
Id(imp)
300A
Kanaltyp
N
Kosten)
440pF
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
190W
Td(off)
41 ns
Td(on)
35 ns
Technologie
HEXFET® Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
5.5V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier