N-Kanal-Transistor IRFPF50, 4.2A, 6.7A, 500uA, 1.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 900V

N-Kanal-Transistor IRFPF50, 4.2A, 6.7A, 500uA, 1.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 900V

Menge
Stückpreis
1-4
5.29€
5-11
4.68€
12-24
4.33€
25+
3.97€
Menge auf Lager: 63

N-Kanal-Transistor IRFPF50, 4.2A, 6.7A, 500uA, 1.6 Ohms, TO-247, TO-247AC, 900V. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.7A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.6 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 900V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2900pF. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 100uA. Id(imp): 27A. Kanaltyp: N. Kosten): 270pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Td(off): 130 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 610 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFPF50
30 Parameter
ID (T=100°C)
4.2A
ID (T=25°C)
6.7A
IDSS (max)
500uA
Einschaltwiderstand Rds On
1.6 Ohms
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AC
Spannung Vds(max)
900V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
2900pF
Drain-Source-Schutz
Zenerdiode
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
100uA
Id(imp)
27A
Kanaltyp
N
Kosten)
270pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
190W
RoHS
ja
Td(off)
130 ns
Td(on)
20 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
610 ns
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier