N-Kanal-Transistor IRFPG50, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.1A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Spannung Vds(max): 1000V. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2800pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2V. IDss (min): 100uA. Id(imp): 24A. Kanaltyp: N. Kosten): 250pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 190W. RoHS: ja. Td(off): 130 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 630 ns. Vgs(th) max.: 4 v. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45