N-Kanal-Transistor IRFR3709Z, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5.2m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 2330pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Extrem niedriger Einschaltwiderstand, extrem niedrige Gate-Impedanz. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 340A. Kanaltyp: N. Kosten): 460pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 79W. RoHS: ja. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45