N-Kanal-Transistor IRFR420, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

N-Kanal-Transistor IRFR420, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

Menge
Stückpreis
1-4
1.10€
5-29
0.93€
30-74
0.81€
75-149
0.73€
150+
0.58€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 54

N-Kanal-Transistor IRFR420, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. IDSS: 0.025mA. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): D-PAK TO-252AA. Spannung Vds(max): 500V. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 8A. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 42W. RoHS: ja. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFR420
24 Parameter
ID (T=100°C)
1.5A
ID (T=25°C)
2.4A
IDSS
0.025mA
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
3 Ohms
Gehäuse (laut Datenblatt)
D-PAK TO-252AA
Spannung Vds(max)
500V
Betriebstemperatur
-55...+150°C
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
20V
IDss (min)
25uA
Id(imp)
8A
Kanaltyp
N
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
42W
RoHS
ja
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier

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