N-Kanal-Transistor IRFS630B, 4.1A, 6.5A, 6.5A, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V

N-Kanal-Transistor IRFS630B, 4.1A, 6.5A, 6.5A, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V

Menge
Stückpreis
1-4
1.49€
5-24
1.23€
25-49
1.04€
50+
0.94€
Menge auf Lager: 154

N-Kanal-Transistor IRFS630B, 4.1A, 6.5A, 6.5A, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 6.5A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V. Funktion: Niedrige Gate-Ladung (typisch 22 nC), niedriger Crss. Id(imp): 26A. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Technologie: Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:45

Technische Dokumentation (PDF)
IRFS630B
16 Parameter
ID (T=100°C)
4.1A
ID (T=25°C)
6.5A
IDSS (max)
6.5A
Einschaltwiderstand Rds On
0.34 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Spannung Vds(max)
200V
Funktion
Niedrige Gate-Ladung (typisch 22 nC), niedriger Crss
Id(imp)
26A
Kanaltyp
N
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
38W
Technologie
Power MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild