N-Kanal-Transistor IRFS634A, 3.7A, 5.8A, 5.8A, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 5.8A. IDSS (max): 5.8A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 250V. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 32A. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Technologie: Advanced Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Samsung. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11