N-Kanal-Transistor IRFS740, 3.9A, 5.5A, 1000uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 5.5A. IDSS (max): 1000uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 400V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1500pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. IDss (min): 250uA. Id(imp): 40A. Kanaltyp: N. Kosten): 178pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Power MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 370 ns. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Samsung. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 21:11